Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/692897484 |
Дата корректировки | 15:31:24 15 декабря 2021 г. |
10.21883/OS.2019.05.47649.205-18 | |
Служба первич. каталог. | Феллер |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 535.33 |
Гусейнов, А. Г. | |
Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
Аннотация | Экспериментально получены тонкие пленки GaS методом SILAR, проанализирована их структура и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства. При помощи дифракционного анализа рентгеновских лучей (XRD), атомного силового микроскопа (AFM), спектроскопии дисперсной энергии рентгеновских лучей (EDAX) и сканирующего электронного микроскопа (SEM) исследованы внутреннее строение и структура полученных образцов. Из спектра поглощения определена ширина запрещенной зоны GaS. На основе кристаллов GaS и тонких пленок InSe созданы гетеропереходы p-GaS/n-InSe. Экспериментально исследованы вольт-амперные, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики гетеропереходов p- GaS/n-InSe. |
тонкие пленки GaS гетероструктуры GaS/InSe запрещенная зона GaS гетеропереходы p-GaS/n-InSe кристаллы GaS тонкие пленки InSe оптические свойства фотоэлектрические свойства |
|
Салманов, В. М. Мамедов, Р. М. Салманова, А. А. Ахмедова, Ф. М. |
|
Оптика и спектроскопия 2019 Т. 126, вып. 5. - С. 538-543 |
|
Имя макрообъекта | Гусейнов_оптические |
Тип документа | b |