Поиск

Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe

Авторы: Гусейнов, А. Г. Салманов, В. М. Мамедов, Р. М. Салманова, А. А. Ахмедова, Ф. М.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/692897484
Дата корректировки 15:31:24 15 декабря 2021 г.
10.21883/OS.2019.05.47649.205-18
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Гусейнов, А. Г.
Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaS и гетероструктуры GaS/InSe
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 14 назв.
Аннотация Экспериментально получены тонкие пленки GaS методом SILAR, проанализирована их структура и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства. При помощи дифракционного анализа рентгеновских лучей (XRD), атомного силового микроскопа (AFM), спектроскопии дисперсной энергии рентгеновских лучей (EDAX) и сканирующего электронного микроскопа (SEM) исследованы внутреннее строение и структура полученных образцов. Из спектра поглощения определена ширина запрещенной зоны GaS. На основе кристаллов GaS и тонких пленок InSe созданы гетеропереходы p-GaS/n-InSe. Экспериментально исследованы вольт-амперные, оптические, фотоэлектрические и люминесцентные характеристики гетеропереходов p- GaS/n-InSe.
тонкие пленки GaS
гетероструктуры GaS/InSe
запрещенная зона GaS
гетеропереходы p-GaS/n-InSe
кристаллы GaS
тонкие пленки InSe
оптические свойства
фотоэлектрические свойства
Салманов, В. М.
Мамедов, Р. М.
Салманова, А. А.
Ахмедова, Ф. М.
Оптика и спектроскопия
2019
Т. 126, вып. 5. - С. 538-543
Имя макрообъекта Гусейнов_оптические
Тип документа b