Поиск

Влияние ионов In{3+} и Ga{3+} на запрещенную зону кристаллов щелочно-земельных фторидов: неэмпирический расчет

Авторы: Мясникова, А. С. Богданов, А. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/692800074
Дата корректировки 12:27:54 14 декабря 2021 г.
10.21883/OS.2019.04.47511.331-18
Служба первич. каталог. Феллер
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 535.33
Мясникова, А. С.
Влияние ионов In{3+} и Ga{3+} на запрещенную зону кристаллов щелочно-земельных фторидов: неэмпирический расчет
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 21 назв.
Аннотация Представлены результаты неэмпирических квантово-химических расчетов кристаллов CaF[2], SrF[2] и BaF[2], активированных ионами In{3+} и Ga{3+}. Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности с использованием программного комплекса VASP. Проведена оценка ширины запрещенной зоны бездефектных кристаллов разными методами, оценка влияния примесных ионов на ширину запрещенной зоны, а также исследована возможность избавления от неглубоких ловушек путем введения примеси индия или галлия.
запрещенная зона кристаллов
щелочно-земельные фториды
неэмпирический расчет
неэмпирический квантово-химический расчет
теория функционала плотности
программный комплекс VASP
ширина запрещенной зоны бездефектных кристаллов
бездефектные кристаллы
влияние примесных ионов на ширину запрещенной зоны
избавление от неглубоких ловушек
кристаллы
индий
галлий
Богданов, А. И.
Оптика и спектроскопия
2019
Т. 126, вып. 4. - С. 428-431
Имя макрообъекта Мясникова_влияние
Тип документа b