| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/692189304 |
| Дата корректировки | 10:48:25 7 декабря 2021 г. |
| 10.21883/OS.2019.02.47201.130-18 | |
| Служба первич. каталог. | Феллер |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 535.33 |
| Бабичев, А. В. | |
|
Электролюминесценция одиночных InGaN/GaN микропирамид Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., схем. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты отработки технологических режимов формирования и исследования оптических свойств светодиодных микропирамид на основе InGaN/GaN. Структуры сформированы методом металло-органической газофазной эпитаксии. Светодиодные гетероструктуры на основе одиночных микропирамид демонстрируют электролюминесценцию на длине волны 520-590nm, которая сдвигается в коротковолновую область с увеличением токовой накачки. Данные источники излучения представляют интерес для формирования точечных источников света высокой интенсивности для биосенсорных применений. |
|
электролюминесценция одиночные микропирамиды микропирамиды светодиодные микропирамиды газофазная эпитаксия светодиодные гетероструктуры |
|
|
Денисов, Д. В. Lavenus, P. Jacopin, G Tchernycheva, M. Julien, F. H. Zhang, H. |
|
|
Оптика и спектроскопия 2019 Т. 126, вып. 2. - С. 180-185 |
|
| Имя макрообъекта | Бабичев_электролюминесценция |
| Тип документа | b |
