| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691239474 |
| Дата корректировки | 11:02:42 26 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46870.8831 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ушаков, В. В. | |
|
Внутрицентровые излучательные переходы на примесных центрах тантала в теллуриде кадмия Электронный ресурс |
|
| Intracenter radiative transitions in the tantalum impurity centers in cadmium telluride | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Впервые исследованы спектры люминесценции примесных центров Та в CdTe. Обнаружено, что при переходе электронной системы центров от 3d(V) к 5d(Ta) происходит существенное изменение характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе–Сугано теории кристаллического поля. Установлено, что излучательные переходы происходят на изолированных центрах Ta{3+}[Cd] между уровнями с различным значением спина. Температурное уширение бесфононной линии Та вызвано взаимодействием d-электронов центра с ТА-фононами кристаллической решетки. Однако при интерпретации данных по ее температурному сдвигу следует учесть гибридизацию локальных примесных и зонных состояний. Температурное гашение люминесценции происходит c энергиями активации 60 и 160 мэВ. Излучательное время жизни центров CdTe : Ta составляет 1.5 мкс. |
| Ключевые слова | теллурид кадмия |
|
тантал внутрицентровые излучательные переходы спектры люминесценции примесные центры электрон-фононное взаимодействие температурное гашение люминесценции кристаллы |
|
|
Аминев, Д. Ф. Кривобок, В. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1579-1583 |
|
| Имя макрообъекта | Ушаков_внутрицентровые |
| Тип документа | b |
