| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691165615 |
| Дата корректировки | 14:32:56 25 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46884.8894 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Семенов, А. Н. | |
|
Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира различной геометрии Электронный ресурс |
|
| The selective area growth of GaN nanocolumns on patterned sapphire substrates with different geometry | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Исследованы особенности роста наноколонн GaN на профилированных подложках c-сапфира с регулярным массивом микроконусов, имеющих различные плотность и диаметр основания в диапазонах (1-5) · 10{7}см{-2} и 2.5-3.5 мкм соответственно. Изучена кинетика и определены режимы селективного роста одиночных наноколонн GaN с диаметром 30-100 нм на вершинах микроконусов при радикально меньших скоростях роста на их боковых гранях. Исследовано влияние геометрии микроконусов, температуры подложки, шероховатости исходной поверхности и присутствия индия в качестве сурфактанта на степень селективности роста. |
| Служебное примечание | Семёнов, А. Н. |
| Ключевые слова | профилированные подложки сапфира |
|
подложки сапфира сапфир наноколонки GaN нитрид галлия геометрия микроконусов микроконусы |
|
|
Нечаев, Д. В. Трошков, С. И. Нащекин, А. В. Брунков, П. Н. Жмерик, В. Н. Иванов, С.В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1663-1667 |
|
| Имя макрообъекта | Семенов_особенности |
| Тип документа | b |
