| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691080584 |
| Дата корректировки | 14:57:44 24 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46879.8864 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Куликов, В. Б. | |
|
nBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5мкм Электронный ресурс |
|
| nBn photodiode based on InAsSb/AlAsSb alloys with responsivity cutoff wavelength near 5mkm | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований фотоэлектрических характеристик nBn-структуры, обеспечивающей возможность создавать на ее основе фотодиоды с длинноволновой границей чувствительности, достигающей 5 мкм. Расчеты, сделанные на основе полученных результатов, показывают, что указанные фотодиоды сравнимы по пороговой фоточувствительности с традиционными аналогами. На основе полученных экспериментальных результатов и теоретических оценок предложена модель зонной диаграммы nBn-структуры, позволяющая оценить влияние потенциальных барьеров в валентной зоне широкозонного слоя и на его границах с узкозонными слоями на чувствительность nBn-фотодиодов. При построении модели важное значение имели результаты, полученные при экспериментальном исследовании зависимости термической энергии активации фототока от напряжения смещения фотодиода. |
| Ключевые слова | nBn-фотодиоды |
|
фотодиоды твердые растворы эпитаксиальное выращивание МОС-гидридная эпитаксия молекулярно-лучевая эпитаксия антимониды |
|
|
Маслов, Д. В. Сабиров, А. Р. Солодков, А. А. Дудин, А. Л. Кацавец, Н. И. Коган, И. В. Шуков, И. В. Чалый, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1636-1640 |
|
| Имя макрообъекта | Куликов_nBn |
| Тип документа | b |
