| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691074555 |
| Дата корректировки | 13:31:56 24 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.11.45049.12k | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Вихрова, О. В. | |
|
Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | С целью повышения концентрации электрически-активного Mn в слоях полупроводников A{3}B{5}:Mn выполнены эксперименты по лазерному отжигу. Использован эксимерный лазер LPX-200 на KrF с длиной волны 248 nm и длительностью импульса ~ 30 ns. Экспериментально показано, что при энергии импульса эксимерного лазера > 230 mJ/cm{2} концентрация дырок в слоях GaAs:Mn увеличивается до 3 · 10{20} cm{-3}. Отрицательное магнетосопротивление и аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса для отожженных образцов GaAs:Mn сохраняются вплоть до 80-100 K. Аналогичные изменения в результате лазерного отжига наблюдаются и для слоев InAs:Mn. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
ферромагнитные слои арсенид галлия арсенид индия легирование марганцом модифицирование свойств отжиг импульсный лазерный отжиг эксимерный лазер |
|
| Другие авторы | Данилов, Ю. А. |
|
Звонков, Б. Н. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Лесников, В. П. Нежданов, А. В. Павлов, С. А. Парафин, А. Е. Пашенькин, И. Ю. Планкина, С. М. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 11. - С. 2130-2134 |
| Имя макрообъекта | Вихрова_модифицирование |
| Тип документа | b |
