| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690997387 |
| Дата корректировки | 16:11:27 23 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.10.44981.097 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Бутко, А. В. | |
|
Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе. |
|
транзисторные структуры графен интерфейс уксусная кислота водные растворы гидроксид калия эффект поля |
|
| Другие авторы | Бутко, В. Ю. |
|
Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Кумзеров, Ю. А. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 10. - С. 2063-2065 |
| Имя макрообъекта | Бутко_полевой эффект |
| Тип документа | b |
