| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690545747 |
| Дата корректировки | 10:23:28 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46767.8892 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Агринская, Н. В. | |
|
Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC Электронный ресурс |
|
| Transition between electron localization and antilocalization as well as manifestation of Berry’s phase in graphene on the surface of SiC | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| Аннотация | Показано, что транспортные свойства графитизированного карбида кремния определяются слоем графена на поверхности SiC, сильно легированным электронами. В слабых магнитных полях и при низких температурах наблюдалось отрицательное магнетосопротивление, являющееся следствием слабой локализации. Впервые в таких образцах в магнетосопротивлении при повышении температуры наблюдался переход от слабой локализации к слабой антилокализации (последняя является проявлением изоспина в графене). В сильных магнитных полях (до 30 Тл) наблюдалась выраженная картина осцилляций Шубникова-де Гааза, которая демонстрирует 4-кратное вырождение спектра носителей вследствие двойного спинового и двойного долинного вырождений, а также проявление фазы Берри. Оценена эффективная масса электронов m' = 0.08m[0], которая характерна для графена с высокой концентрацией носителей. |
| Ключевые слова | электронная локализация |
|
электронная антилокализация фаза Берри графитизированный карбид кремния карбид кремния графен термодеструкция осцилляции Шубникова-де Гааза |
|
|
Лебедев, А. А. Лебедев, С. П. Шахов, М. А. Lahderanta, E. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1512-1517 |
|
| Имя макрообъекта | Агринская_переход |
| Тип документа | b |
