| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690541248 |
| Дата корректировки | 9:31:54 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.10.44965.068 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Алёшин, А. Н. | |
|
Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Методом построения карт обратного пространства, полученных с помощью трехосевой рентгеновской дифрактометрии, и на основе линейной теории упругости получены пространственные распределения остаточных упругих деформаций в слоях двух метамофных ступенчатых буферов различного дизайна, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе тройных растворов In[x]Al[1-x]As на подложках (001) GaAs. Разница в дизайне буферов обеспечивала образование в каждой из гетероструктур бездислокационного слоя с различной толщиной, что явилось основным базисом данного исследования. Показано, что, несмотря на различный дизайн метаморфных ступенчатых буферов, характер деформационных полей в них один и тот же, а остаточные упругие деформации в финальных элементах обоих буферов с учетом поправки на эффект деформационного упрочнения подчиняются тому же феноменологическому закону, который описывает процесс структурной релаксации в однослойных гетероструктурах. |
| Алешин, А. Н. | |
|
гетероструктуры эпитаксиальные гетероструктуры арсенид алюминия-индия арсенид галлия-индия многослойные системы тонкопленочные системы метаморфные буферы ступенчатые метаморфные буферы структурная релаксация деформационное поле |
|
| Другие авторы | Бугаев, А. С. |
|
Рубан, О. А. Табачкова, Н. Ю. Щетинин, И. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 10. - С. 1956-1963 |
| Имя макрообъекта | Алёшин_сравнительный |
| Тип документа | b |
