| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690474136 |
| Дата корректировки | 14:34:34 17 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.11.46596.18 |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Рудин, С. А. |
| Заглавие | Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100) |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Nucleation of three-dimensional Ge nanoislands on pre-patterned Si(100) substrate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| Аннотация | Исследовано зарождение трехмерных островков Ge, формируемых на структурированной поверхности Si в виде массива ямок округлой формы. Обнаружено, что зарождение островков Ge происходит внутри ямок с остроконечным дном и по периметру ямок с плоским дном. Данный эффект обусловлен различием в распределении упругой деформации на границе Ge/Si в зависимости от формы дна ямок. Результаты моделирования роста показали, что для ямок с острым дном наиболее релаксированная область находится по центру дна ямки, где и происходит зарождение островков. Тогда как для ямок с плоским дном наиболее релаксированные области смещаются со дна ямок к их краям, что приводит к зарождению островков по их периметру. |
| Ключевые слова | трехмерных островков Ge |
|
германий структурированная поверхность Si кремний гетероструктуры квантовые точки наноостровки |
|
| Другие авторы | Смагина, Ж. В. |
|
Зиновьев, В. А. Новиков, П. Л. Ненашев, А. В. Родякина, Е. Е. Двуреченский, А. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 11. - С. 1346-1350 |
| Имя макрообъекта | Рудин_зарождение |
| Тип документа | b |
