Поиск

Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si[1-x]Mn[x], синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа

Авторы: Новодворский, О. А. Михалевский, В. А. Лотин, А. А. Паршина, Л. С. Черебыло, Е. А. Дровосеков, А. Б. Рыльков, В. В. Николаев, С. Н. Черноглазов, К. Ю. Маслаков, К. И.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/690374259
Дата корректировки 10:43:44 16 ноября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.11.46590.12
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Новодворский, О. А.
Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si[1-x]Mn[x], синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Изучена серия тонких пленок сплавов Si[1-x]Mn[x] толщиной от 50 до 100 нм, выращенных методом импульсного лазерного осаждения на подложке Al[2]O[3] в вакууме и в атмосфере аргона. Показано существенное влияние давления буферного газа в ростовой камере на структурную и магнитную однородность полученных пленок. Исследованы условия формирования в образцах ферромагнитной фазы с высокой температурой Кюри (> 300K). Методом зонда Ленгмюра определен порог абляции мишени MnSi излучением второй гармоники Nd :YAG-лазера с модуляцией добротности. Получены времяпролетные кривые для ионов факела при изменении плотности энергии на мишени и давления аргона в напылительной камере. Установлена немонотонная зависимость амплитуды зондового времяпролетного сигнала от давления аргона для высокоэнергичных частиц факела.
Ключевые слова тонкие пленки
ферромагнитные свойства тонких пленок
импульсное лазерное осаждение
буферный газ аргона
аргон
рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
кремний
марганец
силицид марганца
Михалевский, В. А.
Гусев, Д. С.
Лотин, А. А.
Паршина, Л. С.
Храмова, Е. А.
Черебыло, Е. А.
Дровосеков, А. Б.
Рыльков, В. В.
Николаев, С. Н.
Черноглазов, К. Ю.
Маслаков, К. И.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 11. - С. 1313-1316
Имя макрообъекта Новодворский_модификация
Тип документа b