| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689858369 |
| Дата корректировки | 11:23:24 10 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46143.8762 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ширяев, А. А. | |
|
Эффект Пула-Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния Электронный ресурс |
|
| Poole-Frenkel effect and opportunity of its application for radiation charge build up prediction in thermal silicon dioxide | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| Аннотация | Предложено применить эффект Пула-Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула-Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула-Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 · 10{9} см{-3} при температуре 400K и напряженности поля 10МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула-Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать. |
| Ключевые слова | радиационное накопление заряда |
|
эффект Пула-Френкеля термический диоксид кремния диоксид кремния кремний |
|
|
Воротынцев, В. М. Шоболов, Е. Л. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 990-994 |
|
| Имя макрообъекта | Ширяев_эффект |
| Тип документа | b |
