Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/689787416 |
Дата корректировки | 15:40:45 9 ноября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.09.46146.8804 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Ситников, А. В. | |
Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием Электронный ресурс |
|
The structure and electrical properties of ziconium-doped tin oxide films | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
Аннотация | Тонкие пленки SnO[2], стабилизированные Zr, были получены ионно-лучевым реактивным распылением. В одном технологическом процессе были синтезированы аморфные тонкопленочные образцы SnO[2] с различной концентрацией Zr. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. В тонкопленочных системах Sn-Zr-O начало процесса кристаллизации наблюдается при температурах 673 и 773 K, что сопровождается появлением метастабильных фаз. При нагреве до 873K эти фазы преобразуются в Sn+Sn[2]O[3]. Было обнаружено,что после кристаллизации пленок процесс электропереноса при температурах, близких к комнатной, является термоактивационным с энергией активации ~ 0.78 эВ. Пленки оксида олова, легированные Zr от 0.6 до 3.9 ат%, после кристаллизации проявляют свойства газовой чувствительности к водороду. |
Ключевые слова | оксид олова |
тонкие пленки SnO[2] цирконий тонкопленочные системы полупроводники широкозонные полупроводники нанокристаллические пленки |
|
Жилова, О. В. Бабкина, И. В. Макагонов, В. А. Калинин, Ю. Е. Ремизова, О. И. |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 995-999 |
|
Имя макрообъекта | Ситников_структура |
Тип документа | b |