| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689784952 |
| Дата корректировки | 15:01:04 9 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46154.8706 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Саидов, А. С. | |
|
Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si[2])[1-x](ZnSe)[x] (0 <= x <= 0.01) гетероструктуре Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур p-Si-n-(Si[2])[1-x] (ZnSe)[x] (0 <= x <= 0.01) при различных температурах. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики таких структур имеют участок сублинейного роста тока с напряжением типа V = V[0] exp(Jad). Оценены концентрации глубоких примесей, ответственных за появление сублинейного участка вольт-амперной характеристики. Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. |
| Ключевые слова | инжекционное обеднение |
|
эффект инжекционного обеднения гетероструктуры полупроводники жидкофазная эпитаксия эпитаксиальные пленки |
|
|
Лейдерман, А. Ю. Усмонов, Ш. Н. Амонов, К. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1066-1070 |
|
| Имя макрообъекта | Саидов_эффект |
| Тип документа | b |
