| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689783446 |
| Дата корректировки | 14:36:24 9 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46148.8683 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Орлов, М. Л. | |
|
Электрополевое поведение резонансных особенностей в туннельной составляющей фототока в гетероструктурах InAs(QD)/GaAs Электронный ресурс |
|
| Field effect behavior of the resonances in the photocurrent tunneling component of InAs(QD)/GaAs heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Изучено электрополевое поведение резонансных особенностей, наблюдаемых на фотоэлектрических характеристиках гетерокомпозиций InAs/GaAs. Обсуждается механизм эмиссии возбуждаемых светом носителей заряда из квантовых точек InAs в матрицу GaAs. Показано, что при температуре жидкого азота величина фототока в сильном поперечном электрическом поле определяется исключительно эффектом туннелирования электронов сквозь барьер, формируемый в окрестности интерфейсов квантовых точек. Сопоставление экспериментальных кривых с квазиклассическим выражением для туннельной составляющей тока и последующий анализ структуры потенциала позволили уточнить значения параметров исследуемой гетерокомпозиции. Проанализирован вклад в общую величину туннельного тока резонансной составляющей, связанной с возможным туннелированием электронов сквозь барьер с участием локальных уровней дефектов на гетерогранице. Проведен теоретический анализ влияния уровня возбуждения системы на величину фототока, протекающего через гетеропереход InAs/GaAs. |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
|
электрополевое поведение квантовые точки туннелирование электронов молекулярно-лучевая эпитаксия МОС-гидридная эпитаксия арсенид индия арсенид галлия |
|
|
Волкова, Н. С. Ивина, Н. Л. Орлов, Л. К. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1006-1014 |
|
| Имя макрообъекта | Орлов_электрополевое |
| Тип документа | b |
