| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689524500 |
| Дата корректировки | 14:39:57 6 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46283.8845 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Анисимов, А. Н. | |
|
Спектры рамановского рассеяния толстых эпитаксиальных слоев GaN на SiC, полученных сублимационным сандвич-методом Электронный ресурс |
|
| Raman scattering spectra of thick GaN layers on SiC obtained by sublimation sandwich method | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл., схем. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Исследованы спектры рамановского рассеяния толстых (~ 100 мкм и более) слоев GaN, выращенных на SiC кристаллах-подложках посредством сублимационного сандвич-метода. Хорошее совпадение полученных нами спектров SiC-подложек с приводимыми в литературе свидетельствует о надежности наших измерений, а минимальные различия между нашими и литературными результатами для слоев GaN означают, что по качеству слои, выращенные нами с помощью сублимационного сандвич-метода, не уступают изготовленным методами MOVPE или CHVPE. |
| Ключевые слова | рамановская спектроскопия |
|
сублимационный сандвич-метод сандвич-метод эпитаксиальные слои GaN на SiC нитрид галлия карбид кремния |
|
|
Вольфсон, А. А. Мохов, Е. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1104-1106 |
|
| Имя макрообъекта | Анисимов_спектры |
| Тип документа | b |
