| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689351925 |
| Дата корректировки | 15:05:26 4 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.07.44586.437 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Курдюбов, А. С. | |
|
Фотоиндуцированное поглощение терагерцeвого излучения в полуизолирующем кристалле GaAs Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Экспериментально изучено влияние оптической подсветки на прохождение терагерцeвого излучения через объемный кристалл полуизолирующего GaAs. Установлено, что без подсветки поглощение электромагнитных волн с частотой порядка 1 THz в исследуемом кристалле практически отсутствует. Оптическая подсветка в области фундаментального поглощения кристалла не влияет на пропускание терагерцевых волн. В то же время при подсветке немного ниже края фундаментального поглощения, т. е. фактически в область прозрачности, пропускание терагерцевого излучения резко падает. При температуре жидкого гелия максимальный эффект достигается при энергии оптических фотонов примерно на 30meV меньшей ширины запрещенной зоны кристалла. Дальнейшая отстройка подсветки в область меньших энергий сопровождается практически полным восстановлением пропускания. С увеличением температуры образца спектральная область эффективного действия подсветки смещается вместе со сдвигом края фундаментального поглощения в сторону меньших энергий фотонов. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
полуизолирующие кристаллы арсенид галлия фотоиндуцированное поглощение терагерцeвое излучение оптическая подсветка |
|
| Другие авторы | Трифонов, А. В. |
|
Герловин, И. Я. Игнатьев, И. В. Кавокин, А. В. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 7. - С. 1274-1277 |
| Имя макрообъекта | Курдюбов_фотоиндуцированное |
| Тип документа | b |
