Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/689330686 |
Дата корректировки | 9:19:39 4 ноября 2021 г. |
10.21883/FTT.2017.06.44493.376 | |
Служба первич. каталог. | Войтик |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 539.21 |
Багмут, А. Г. | |
Электронно-микроскопическое исследование кинетики слоевой и островковой кристаллизации аморфных пленок V[2]O[3], осажденных импульсным лазерным напылением Электронный ресурс |
|
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
Аннотация | Проведено электронно-микроскопическое исследование кинетики слоевой и островковой кристаллизации аморфных пленок V[2]O[3], осажденных лазерным распылением V в атмосфере кислорода. Кристаллизацию инициировали воздействием электронного луча на аморфную пленку в колонне микроскопа. Кинетические кривые строили на основании покадрового анализа видеофильма, снятого в процессе кристаллизации пленки. Установлено, что при слоевой кристаллизации имеет место квадратичная зависимость доли кристаллической фазы x от времени t. При островковой кристаллизации зависимость x от t экспоненциальная. Анализ кинетических кривых островковой кристаллизации проведен на основе альфа-варианта модели Колмогорова. Типу кристаллизации ставится в соответствие безразмерная относительная единица длины дельта[0], равная отношению характерной единицы длины к параметру, характеризующему элементарную ячейку кристалла. Для слоевой кристаллизации дельта[0] ~ 4300-4700. Для мелкокристаллической островковой кристаллизации дельта[0] ~ 110. |
Ключевые слова | пленки |
аморфные пленки оксид ванадия рост кристаллов кристаллизация слоевая кристаллизация островковая кристаллизация импульсное лазерное напыление электронно-микроскопическое исследование |
|
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2017 |
Прочая информация | Т. 59, вып. 6. - С. 1201-1207 |
Имя макрообъекта | Багмут_электронно-микроскопическое |
Тип документа | b |