| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689168045 |
| Дата корректировки | 11:49:09 2 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.06.44486.232 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Сейсян, Р. П. | |
|
Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In,Ga)As/GaAs Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 40 назв. |
| Аннотация | Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In,Ga)As/GaAs. Исследование пропускания отделенных от подложки свободных образцов в магнитных полях вплоть до 12 T выявило богатую тонкую структуру, связанную с различными тяжелодырочными и легкодырочными экситонными переходами. В частности, были зарегистрированы переходы из возбужденных состояний легких дырок, локализованных в кулоновском потенциале, создаваемом электроном вдоль оси гетероструктуры (кулоновская яма). Последовательно принимая во внимание напряжения, образование уровней Ландау, энергии связи экситонов (диамагнитных экситонов) и эффкет "кулоновской ямы", мы смогли описать экспериментальные результаты в рамках самосогласованной вариационной процедуры. В результате были объяснены новые особенности структуры оптических переходов и с хорошей точностью были определены приведенные массы электронов и дырок для экситона, образованного как на тяжелой дырке, так и на легкой. |
| Ключевые слова | гетеросистемы |
|
низкоразмерные структуры квантовые ямы эффект кулоновской ямы экситонные переходы |
|
| Другие авторы | Кавокин, А. В. |
|
Moumanis, Kh. Сасин, М. Э. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 6. - С. 1133-1149 |
| Имя макрообъекта | Сейсян_эффект |
| Тип документа | b |
