| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688670512 |
| Дата корректировки | 17:26:08 27 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.08.46207.8772 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Грушка, О. Г. | |
|
Электронные процессы в кристаллах CdIn[2]Te[4] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты исследования электрических, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdIn[2]Te[4], выращенных методом Бриджмена. Показано, что электропроводность определяется преимущественно электронами с эффективной массой m[n] = 0.44m[0] и подвижностью 120-140 см{2}/(В · с), слабо зависящей от температуры. CdIn[2]Te[4] ведет себя как частично компенсированный полупроводник с энергией ионизации донорных центров E[d] = 0.38 эВ и степенью компенсации K = N[a]/N[d] = 0.36. Спектры коэффициента поглощения при энергиях hv < E[g] = 1.27 эВ подчиняются правилу Урбаха с характерной энергией 18-25 мэВ. Фотопроводимость зависит от толщины образца. По спектрам фотопроводимости определены диффузионная длина, время жизни носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации. |
| Ключевые слова | электронные процессы |
|
кристаллы CdIn[2]Te[4] метод Бриджмена электропроводность полупроводники |
|
|
Чупыра, С. М. Биличук, С. В. Парфенюк, О. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 840-843 |
|
| Имя макрообъекта | Грушка_электронные |
| Тип документа | b |
