| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688488498 |
| Дата корректировки | 14:53:12 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46047.8648 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Трегулов, В. В. | |
|
Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/por-Si/p-Si Электронный ресурс |
|
| Investigation of Currrent Flow Mechanisms in the CdS/por-Si/p-Si heterostructure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., схем. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики, а также спектр фотоэдс полупроводниковой гетероструктуры CdS/ por-Si/p-Si. Установлено, что механизмы токопрохождения определяются генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда гетероперехода por-Si/p-Si, туннелированием носителей заряда в пленке por-Si и моделью токов, ограниченных пространственным зарядом. Предложен упрощенный вариант зонной диаграммы исследуемой гетероструктуры. |
| Ключевые слова | механизмы токопрохождения |
|
гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si пористый кремний кремний полупроводниковые пленки CdS сульфид кадмия фотоэлектрические преобразователи |
|
|
Литвинов, В. Г. Ермачихин, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 751-756 |
|
| Имя макрообъекта | Трегулов_исследование |
| Тип документа | b |
