| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688475576 |
| Дата корректировки | 11:18:54 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46041.8609 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Пархоменко, Г. П. | |
|
Электрические свойства гетероструктур p-NiO/n-Si на основе наноструктурированного кремния Электронный ресурс |
|
| Electrical properties of p-NiO/n-Si heterostructures based on nanostructured silicon | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 31 назв. |
| Аннотация | Методом химического травления сформированы кремниевые нанопроволоки на подложках n-Si. Изготовлены гетероструктуры p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напыления. Построена энергетическая диаграмма исследуемых анизотипных гетероструктур p-NiO/n-Si в соответствии с моделью Андерсона. Измерены и проанализированы вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Установлены основные механизмы токопереноса через гетеропереход p-NiO/n-Si при прямых и обратных смещениях. |
| Ключевые слова | гетероструктуры p-NiO |
|
наноструктурированный кремний кремний кремниевые нанопроволоки подложки n-Si модель Андерсона тонкие пленки NiO оксид никеля |
|
|
Солован, М. Н. Марьянчук, П. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 718-722 |
|
| Имя макрообъекта | Пархоменко_электрические |
| Тип документа | b |
