| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688300398 |
| Дата корректировки | 11:07:48 23 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.04.44266.287 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Кукушкин, С. А. | |
|
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Обнаружен эффект изменения направления распространения дислокации несоответствия при росте слоев GaN на поверхности структуры AlN/SiC/Si(111). Эффект заключается в том, что при достижении слоем GaN, растущим на AlN/SiC/Si(111) определенной толщины ~ 300 nm, дислокации несоответствия первоначально, распространяющиеся вдоль оси роста слоя останавливаются и начинают двигаться в перпендикулярном к оси роста направлению. Построена теоретическая модель зарождения AlN и GaN на грани (111) SiC/Si, объясняющая эффект изменения направления движения дислокации несоответствия. Обнаружен экспериментально и объяснен теоретически эффект смены механизма зарождения с островкового для AlN на SiC/Si(111) на послойный при зарождении слоя GaN на AlN/SiC/Si. |
| Ключевые слова | пленки |
|
нитрид галлия нитрид алюминия подложки карбид кремния/кремний рост пленок дислокации несоответствия |
|
| Другие авторы | Осипов, А. В. |
|
Бессолов, В. Н. Коненкова, Е. В. Пантелеев, В. Н. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 4. - С. 660-667 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_остановка |
| Тип документа | b |
