| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688231517 |
| Дата корректировки | 15:28:01 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46037.8602 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Джахангирли, З. А. | |
|
Фотопорог слоистого кристалла альфа-GeS: расчет из первых принципов Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Из первых принципов на основе метода функционала плотности рассчитан фотопорог слоистого кристалла альфа-GeS в зависимости от его толщины. Для моделирования кристалла конечной толщины использовался метод периодических пластин. Две соседние кристаллические пластины, состоящие из нескольких слоев, разделялись вакуумом толщиной в 4 слоя, что соответствует удвоенному размеру элементарной ячейки объемного кристалла. Показано, что при толщине кристалла более 10 слоев величина фотопорога практически не меняется. |
| Ключевые слова | фотопороги слоистого кристалла |
|
слоистые кристаллы сульфида германия полупроводниковые соединения |
|
|
Гашимзаде, Ф. М. Гусейнова, Д. А. Мехтиев, Б. Г. Мустафаев, Н. Б. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 699-701 |
|
| Имя макрообъекта | Джахангирли_фотопорог |
| Тип документа | b |
