| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688227616 |
| Дата корректировки | 14:27:11 22 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46053.8666 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Вихров, С. П. | |
|
Исследование глубоких энергетических уровней в солнечном элементе типа HIT Электронный ресурс |
|
| Investigation of deep levels in solar cell structure based on HIT | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования солнечного элемента типа HIT Ag/ITO/a-Si : H(p)/a-Si : H(i)/ c-Si(n)/a-Si : H(i)/a-Si : H(n+)/ITO/Ag методами вольт-фарадных характеристик и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Исследованы температурная зависимость вольт-фарадных характеристик HIT-структуры и параметры глубоких энергетических уровней. Результаты комплексных исследований перечисленными методами были использованы для определения особенностей зонной диаграммы реальной HIT-структуры. |
| Ключевые слова | глубокие энергетические уровни |
|
солнечные элементы HIT-структуры гидрогенизированный кремний монокристаллический кремний кремний уровни Ферми |
|
|
Вишняков, Н. В. Гудзев, В. В. Ермачихин, А. В. Жилина, Д. В. Литвинов, В. Г. Маслов, А. Д. Мишустин, В. Г. Теруков, Е. И. Титов, А. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 787-791 |
|
| Имя макрообъекта | Вихров_исследование |
| Тип документа | b |
