Поиск

Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge[2]Sb[2]Te[5]: фазовые изменения и формирование периодических структур

Авторы: Яковлев, С. А. Воробьёв, Ю. В. Анкудинов, А. В. Воробьев, Ю. В. Воронов, М. М. Козюхин, С. А. Мелех, Б. Т. Певцов, А. Б.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/688218035
Дата корректировки 11:48:19 22 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.06.45933.8757
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Яковлев, С. А.
Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge[2]Sb[2]Te[5]: фазовые изменения и формирование периодических структур
Электронный ресурс
Laser-induced modification of the Ge[2]Sb[2]Te[5] thin film surface: phase changes and periodic structure formation
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 35 назв.
Аннотация На поверхности пленочных материалов с фазовой памятью на основе сложного халькогенида (Ge[2]Sb[2]Te[5]) под действием лазерных импульсов наносекундной длительности сформированы субмикронные периодические решетки. Геометрические характеристики и структурные свойства лазерно-индуцированных решеток исследованы с помощью оптической и атомно-силовой микроскопии, а также рамановской спектроскопии. Показано, что при специально подобранных параметрах лазерного воздействия в созданных структурах можно реализовать периодическую модуляцию показателя преломления, обусловленную застыванием после лазерного воздействия гребней и впадин решеток в разных фазовых состояниях, диэлектрические константы которых сильно отличаются друг от друга. Вблизи максимумов волнообразной структуры формируется преимущественно аморфное состояние, в то время как в области минимумов структура Ge[2]Sb[2]Te[5] в основном соответствует кристаллической фазе.
Воробьёв, Ю. В.
Ключевые слова лазерно-индуцированная модификация
тонкие пленки
халькогениды Ge-Sb-Te
субмикронные периодические решетки
оптическая микроскопия
атомно-силовая микроскопия
рамановская спектроскопия
лазерная модификация
германий
сурьма
теллур
Анкудинов, А. В.
Воробьев, Ю. В.
Воронов, М. М.
Козюхин, С. А.
Мелех, Б. Т.
Певцов, А. Б.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 6. - С. 664-670
Имя макрообъекта Яковлев_лазерно
Тип документа b