Поиск

Исследование свойств квантовых точек полупроводников A{II}B{VI} и A{III}B{V}

Авторы: Михайлов, А. И. Кабанов, В. Ф. Горбачев, И. А. Глуховской, Е. Г.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/688207277
Дата корректировки 8:44:45 22 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.06.45923.8443
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Михайлов, А. И.
Исследование свойств квантовых точек полупроводников A{II}B{VI} и A{III}B{V}
Электронный ресурс
Investigation of the properties of quantum dots of Semiconductors A{II}B{VI} and A{III}B{V}
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 17 назв.
Аннотация Проведено экспериментальное и теоретическое исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводниковых материалов групп A{III}B{V} и A{II}B{VI}. Анализ исследуемых образцов позволил оценить положение первых трех уровней электронного спектра квантового объекта. Получено хорошее качественное и количественное согласование экспериментальных результатов с теоретической оценкой. Показано, что механизм наблюдавшегося тока автоэлектронной эмиссии через квантовую точку удовлетворительно описывается теорией Моргулиса-Стрэттона в условиях эксперимента.
Ключевые слова квантовые точки
полупроводники
полупроводниковые материалы
электронные спектры
теория Моргулиса-Стрэттона
Кабанов, В. Ф.
Горбачев, И. А.
Глуховской, Е. Г.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 6. - С. 603-607
Имя макрообъекта Михайлов_исследование
Тип документа b