| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687976180 |
| Дата корректировки | 16:34:28 19 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45624.8594a | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Смирнов, В. А. | |
|
Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона Электронный ресурс |
|
| A field effect transistor with proton conductivity of graphene oxide and Nafion films | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 45 назв. |
| Аннотация | В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена и нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Электрические характеристики пленок подобны друг другу, но подвижность положительных зарядов в нафионе и усиление тока на 2-3 порядка выше, чем в оксиде графена. В пленках оксида графена отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину от протонного (до ~ 10%), в то время как в пленках нафиона он практически отсутствует (< 1%). |
| Ключевые слова | полевые транзисторы |
|
протонная проводимость оксид графена нафион пленки оксида графена пленки нафиона |
|
|
Мокрушин, А. Д. Денисов, Н. Н. Добровольский, Ю. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 370-377 |
|
| Имя макрообъекта | Смирнов_полевой |
| Тип документа | b |
