| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687877285 |
| Дата корректировки | 13:22:16 18 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2017.02.44067.288 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Антипов, В. В. | |
|
Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 мю m на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500°C при температуре испарителя 580°C, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы. |
| Ключевые слова | пленки |
|
теллурид кадмия кремниевая подложка буферные слои карбид кремния рост пленок эпитаксиальный рост пленок |
|
| Другие авторы | Кукушкин, С. А. |
| Осипов, А. В. | |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 59, вып. 2. - С. 385-388 |
| Имя макрообъекта | Антипов_эпитаксиальный рост пленок |
| Тип документа | b |
