| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687524319 |
| Дата корректировки | 11:12:33 14 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45612.8615a | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Борщ, Н. А. | |
|
Электронная структура четырехкомпонентных клатратных кристаллов системы Ba-Zn-Si-Ge Электронный ресурс |
|
| Electronic structure of four-element clathrates Ba-Zn-Si-Ge | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 22 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты расчета электронной структуры четырехкомпонентных клатратных кристаллов на основе кремния и германия. Расчет проводился методом линеаризованных присоединенных плоских волн. Анализ результатов расчета позволил установить зависимость свойств кристаллов от соотношения числа атомов кремния и германия в элементарной ячейке, а также от положения замещающих атомов цинка. |
| Ключевые слова | клатратные кристаллы |
|
четырехкомпонентные клатратные кристаллы клатраты твердые растворы непрямозонные полупроводники полупроводники барий цинк кремний германий |
|
| Курганский, С. И. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 299-303 |
|
| Имя макрообъекта | Борщ_электронная |
| Тип документа | b |
