| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687440126 |
| Дата корректировки | 11:40:37 13 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45451.8603 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Солован, М. Н. | |
| Заглавие | Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Graphite/p-SiC Schottky diodes prepared by the transfer of drawn graphite films on SiC | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Изготовлены диоды Шоттки графит/p-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического p-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления диода Шоттки графит/p-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/p-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях - эмиссия Френкеля-Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/p-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода V[oc] = 1.84 В и ток короткого замыкания I[sc] = 2.9мА/см{2} при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца. |
| Ключевые слова | диоды Шоттки |
|
графит перенос нарисованной пленки карбид кремния подложки карбида кремния гетероструктуры поверхностно-барьерные структуры детекторы ультрафиолетового излучения |
|
|
Андрущак, Г. О. Мостовой, А. И. Ковалюк, Т. Т. Брус, В. В. Марьянчук, П. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 248-253 |
|
| Имя макрообъекта | Солован_диоды |
| Тип документа | b |
