Поиск

Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии

Авторы: Пещерова, С. М. Якимов, Е. Б. Непомнящих, А. И. Павлова, Л. А. Феклисова, О. В. Пресняков, Р. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/687432709
Дата корректировки 9:36:19 13 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.02.45454.8546
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Пещерова, С. М.
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии
Электронный ресурс
Electrical activity of extended defects in multicrystalline silicon
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 7 назв.
Аннотация Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения, обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровключения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC).
Ключевые слова мультикремний
мультикристаллический кремний
протяженные дефекты
электрическая активность
неравновесные носители заряда
метод Бриджмена
селективное кислотное травление
Якимов, Е. Б.
Непомнящих, А. И.
Павлова, Л. А.
Феклисова, О. В.
Пресняков, Р. В.
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 2. - С. 266-271
Имя макрообъекта Пещерова_электрическая
Тип документа b