Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/687432709 |
Дата корректировки | 9:36:19 13 октября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.02.45454.8546 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Пещерова, С. М. | |
Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии Электронный ресурс |
|
Electrical activity of extended defects in multicrystalline silicon | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
Аннотация | Проведены исследования по распределению времени жизни неравновесных носителей заряда в мультикристаллическом кремнии (мультикремнии), выращенном методом Бриджмена из высокочистого рафинированного металлургического кремния. Выявлены закономерности изменения, обусловленные особенностями зеренно-граничной структуры слитков. Границы зерен, дислокации и примесные микровключения исследовали методами рентгеноспектрального электронно-зондового микроанализа (РСМА/EPMA) и электронной микроскопии (РЭМ/SEM) с применением селективного кислотного травления. Электрическую активность протяженных дефектов регистрировали методом наведенного тока (НТ/EBIC). |
Ключевые слова | мультикремний |
мультикристаллический кремний протяженные дефекты электрическая активность неравновесные носители заряда метод Бриджмена селективное кислотное травление |
|
Якимов, Е. Б. Непомнящих, А. И. Павлова, Л. А. Феклисова, О. В. Пресняков, Р. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 266-271 |
|
Имя макрообъекта | Пещерова_электрическая |
Тип документа | b |