| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687369186 |
| Дата корректировки | 16:33:58 12 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45455.8638 | |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Лотин, А. А. | |
|
Люминесцентные свойства тонких пленок Cd[x]Zn[1-x]O Электронный ресурс |
|
| Luminescent properties of thin Cd[x]Zn[1-x]O | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Методом импульсного лазерного осаждения синтезированы тонкие пленки Cd[x]Zn[1-x]O в диапазоне концентраций кадмия от 0 до 35 ат% на подложках сапфира c-среза. Достигнут рекордный предел растворимости Cd 30 ат% в пленках Cd[x]Zn[1-x]O со структурой вюрцита. В низкотемпературных спектрах фотолюминесценции (при 10K) пленок Cd[0.15]Zn[0.85]O и Cd[0.3]Zn[0.7]O помимо экситонного наблюдались дополнительные пики, природой которых является неоднородное распределение кадмия в образцах. Мы наблюдали немонотонную (S-образную) температурную зависимость спектрального положения экситонного пика фотолюминесценции пленок Cd[x]Zn[1-x]O, связанную с эффектом локализации носителей заряда. |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
|
люминесцентные свойства импульсное лазерное осаждение полупроводники кадмий подложки сапфира |
|
|
Новодворский, О. А. Паршина, Л. С. Храмова, О. Д. Черебыло, Е. А. Михалевский, В. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 272-275 |
|
| Имя макрообъекта | Лотин_люминесцентные |
| Тип документа | b |
