| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687368264 |
| Дата корректировки | 15:41:37 12 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.02.45436.8597 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калыгина, В. М. | |
|
Проводимость гетеропереходов Ga[2]O[3]-GaAs Электронный ресурс |
|
| Conductivity of Ga[2]O[3]-GaAs heterojunctions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние отжига в аргоне при температурах T[an] = 700-900°C на вольт-амперные характеристики структур металл-Ga[2]O[3]-GaAs. Образцы получали термическим напылением порошка Ga[2]O[3] на пластины GaAs с концентрацией доноров Nd = 2 · 1016 см{-3}. Для измерений вольт-амперных характеристик напыляли металлические V/Ni электроды: верхний электрод на пленку Ga[2]O[3] через маски с площадью S[k] = 1.04 · 10{-2} см{2} (затвор) и нижний электрод к GaAs в виде сплошной металлической пленки. После отжига в аргоне при T[an] >= 700°C структуры Ga[2]O[3]-n-GaAs приобретают свойства изотипных гетеропереходов n-типа. Показано, что проводимость структур при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga[2]O[3]. При отрицательных смещениях рост тока с повышением напряжения и температуры обусловлен термополевой эмиссией в арсениде галлия. В области сильных электрических полей преобладает туннелирование электронов через вершину потенциального барьера, облегченное фононами. Отжиг при высокой температуре не изменяет концентрацию электронов в оксидной пленке, но влияет на энергетическую плотность поверхностных состояний на границе GaAs-Ga[2]O[3]. |
| Ключевые слова | гетеропереходы |
|
арсенид галлия оксидные пленки диэлектрические пленки полупроводники термический отжиг пленки оксида галлия оксид галлия |
|
|
Ремезова, И. Л. Толбанов, О. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 2. - С. 154-160 |
|
| Имя макрообъекта | Калыгина_проводимость |
| Тип документа | b |
