| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687343799 |
| Дата корректировки | 8:56:51 12 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45333.8618 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Саченко, А. В. | |
|
Новый механизм реализации омических контактов Электронный ресурс |
|
| A new mechanism for realization of ohmic contacts | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Для контактов металл-полупроводник с диэлектрическим зазором выполнен анализ высоты барьера в контакте с учетом распределения поверхностных состояний по координате x, перпендикулярной границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что при достаточно больших уровнях легирования полупроводника учет пространственной зависимости плотности поверхностных состояний приводит к существенному уменьшению высоты барьера, что способствует реализации омических контактов. Установлено, что эффект понижения высоты барьера тем больше, чем меньше контактная разность потенциалов металл-полупроводник Ф[ms]. В случае, когда вели чи на Ф[ms] отрицательна, данный эффект может приводить к перемене знака потенциала, т. е. к реализации в области пространственного заряда полупроводника слоя обогащения, даже прибо льшой плотностипо верхностных состояний. В свою очередь это способствует проявлению аномальной зависимости удельного контактного сопротивления от температуры, растущего с увеличением температуры. |
| Ключевые слова | омические контакты |
|
диэлектрики-полупроводники полупроводники легирование контактное сопротивление |
|
|
Беляев, А. Е. Конакова, Р. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 138-142 |
|
| Имя макрообъекта | Саченко_новый |
| Тип документа | b |
