| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687285732 |
| Дата корректировки | 16:49:01 11 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45325.8591 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Никольская, А. Б. | |
|
Двухконтактные тандемные солнечные элементы DSC/c-Si: оптимизация параметров фотоэлектрода на основе диоксида титана Электронный ресурс |
|
| Two-terminal tandem solar cells DSC/c-Si: optimization of TiO2-based photoelectrode parameters | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Сконструированы и исследованы новые типы двухконтактных тандемных солнечных элементов на основе DSC/c-Si, в которых тонкопленочный солнечный элемент на основе сенсибилизированного красителем мезоскопического слоя диоксида титана (DSC) был соединен с солнечным элементом на основе кристаллического кремния (c-Si) по параллельной схеме. Измерены оптические и фотоэлектрические параметры отдельных элементов и тандемных элементов DSC/c-Si на их основе. Показано, что максимальное значение кпд фотопреобразования для тандемного солнечного элемента DSC/c-Si в условиях стандартного освещения AM1.5G (100 мВт/см{2}) было достигнуто при использовании в DSC фотоэлектрода на основе диоксида титана толщиной 3.5 мкм и составило 14.7%. |
| Ключевые слова | двухконтактные тандемные солнечные элементы |
|
тандемные солнечные элементы солнечные элементы фотоэлектроды диоксид титана |
|
|
Вильданова, М. Ф. Козлов, С. С. Шевалеевский, О. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 93-97 |
|
| Имя макрообъекта | Никольская_двухконтактные |
| Тип документа | b |
