| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687281647 |
| Дата корректировки | 15:38:56 11 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45317.8606 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Каминский, В. В. | |
|
Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm[1-x]Gd[x]S Электронный ресурс |
|
| Mechanism of Semiconductor-Metal Phase Transition in Thin Films of Sm[1-x]Gd[x]S Composition | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние концентрации гадолиния на фазовый переход полупроводник-металл в тонких поликристаллических пленках состава Sm[1-x]Gd[x]S, полученных методом взрывного испарения порошка в вакууме. Показано, что основным фактором физического механизма фазового перехода является сжатие материала пленки и что пленки сохраняют свои полупроводниковые свойства лишь до концентрации гадолиния x = 0.12. |
| Соловьёв, С. М. | |
| Ключевые слова | полупроводники-металлы |
|
тонкие поликристаллические пленки тонкие пленки полупроводниковые тензорезисторы гадолиний самарий |
|
|
Соловьев, С. М. Хавров, Г. Д. Шаренкова, Н. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 45-47 |
|
| Имя макрообъекта | Каминский_механизм |
| Тип документа | b |
