| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687268153 |
| Дата корректировки | 11:52:33 11 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45323.8515 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Жуков, Н. Д. | |
|
Особенности свойств полупроводников А{III}В{V} в мультизеренной наноструктуре Электронный ресурс |
|
| Features of properties of A{III}B{V} semiconductor at multigrain nanostructure | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Представлены систематизированные результаты исследований свойств полупроводников InAs, InSb, GaAs в мультизеренной структуре на основе измерений и анализа вольт-амперных и спектральных характеристик. Установлено, что процессы эмиссии и инжекции электронов определяются эффектами локализации состояний в объеме и в приповерхностной области субмикронных зерен. Обнаружены и исследованы явления ограничения тока и низкополевой эмиссии, характерные для квантовых точек. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцового диапазонов. |
| Ключевые слова | полупроводники |
|
мультизеренные наноструктуры тонкие пленки низкополевая эмиссия инжекция плазменный резонанс приповерхностная локализация |
|
|
Кабанов, В. Ф. Михайлов, А. И. Мосияш, Д. С. Хазанов, А. А. Шишкин, М. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 83-88 |
|
| Имя макрообъекта | Жуков_особенности |
| Тип документа | b |
