| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686841597 |
| Дата корректировки | 13:24:21 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45102.16 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Полищук, О. В. | |
|
Усиление терагерцового излучения в плазмонной n-i-p-i-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда Электронный ресурс |
|
| Amplification of terahertz radiation by plasmons in the n-i-p-i-graphene structure with charge carrier injection | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Теоретически исследован спектр поглощения/усиления терагерцового излучения в неоднородном графене (n-i-p-i-структура) с периодической двойной металлической решеткой. Показано, что усиление терагерцового излучения на частоте плазмонного резонанса резко возрастает, когда потери за счет электронного рассеяния и потери на излучение уравновешиваются плазмонным усилением (связанным со стимулированной излучательной межзонной рекомбинацией электронно-дырочных пар в инвертированной области графена). |
| Ключевые слова | терагерцовое излучение |
|
графен инжекция носителей заряда электронное рассеяние |
|
|
Фатеев, Д. В. Попов, В. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1514-1519 |
|
| Имя макрообъекта | Полищук_усиление |
| Тип документа | b |
