| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686769947 |
| Дата корректировки | 17:31:20 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45101.15 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Планкина, С. М. | |
|
Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур Электронный ресурс |
|
| Study of the cleaved edge cross section of the multilayer heterostructures by photoluminescence spectroscopy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Показана возможность комплексного применения фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния в режиме латерального сканирования поперечных сколов гетероструктур для контроля распределения напряжений, определения толщины эпитаксиальных слоев и состава твердых растворов. Указанным способом исследованы свойства лазерной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP. Продемонстрирована возможность дифференцированно регистрировать фотолюминесцентное излучение от различных слоев структуры. Установлено, что определение состава твердого раствора In[x]Ga[1-x]P по частотному положениюIn P-подобной моды и по энергии фотолюминесценции дает близкие значения. |
| Ключевые слова | спектроскопия |
|
фотолюминесценция многослойные гетероструктуры гетероструктуры поперечные сколы гетероструктур квантовые ямы |
|
|
Вихрова, О. В. Звонков, Б. Н. Нежданов, А. В. Пашенькин, И. Ю. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 11. - С. 1510-1513 |
| Имя макрообъекта | Планкина_применение |
| Тип документа | b |
