| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686766162 |
| Дата корректировки | 16:33:39 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45112.26 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Никифоров, В. Е. | |
|
Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs Электронный ресурс |
|
| Luminescence of near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 6 назв. |
| Аннотация | Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в при поверхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs. |
| Ключевые слова | люминесценция |
|
гетероструктуры широкозонные полупроводники гетеропереходы квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия полуизолирующие подложки |
|
|
Абрамкин, Д. С. Шамирзаев, Т. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1565-1568 |
|
| Имя макрообъекта | Никифоров_люминесценция |
| Тип документа | b |
