Поиск

Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP

Авторы: Звонков, Б. Н. Байдусь, Н. В. Некоркин, С. М. Вихрова, О. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Котомина, В. Е.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/686761437
Дата корректировки 15:07:23 5 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2017.11.45087.01
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Звонков, Б. Н.
Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
Электронный ресурс
Optical thyristor based on the GaAs/InGaP material system
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 6 назв.
Аннотация Показана возможность создания тиристорных структур с внешним оптическим управлением лазерным излучением с длиной волны ~ 800 нм на основе монокристаллических пластин полуизолирующего GaAs и слоев согласованного по параметру решетки с GaAs твердого раствора InGaP.
Ключевые слова оптические тиристоры
тиристоры
тиристорные структуры
монокристаллические пластины
МОС-гидридная эпитаксия
тиристорные гетероструктуры
гетероструктуры
Байдусь, Н. В.
Некоркин, С. М.
Вихрова, О. В.
Здоровейщев, А. В.
Кудрин, А. В.
Котомина, В. Е.
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 11. - С. 1443-1446
Имя макрообъекта Звонков_оптический
Тип документа b