Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора - Статьи - Базы данных - БГТУ

Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора

Авторы: Деребезов, И. А. Гайслер, В. А. Гайслер, А. В. Дмитриев, Д. В. Торопов, А. И. Schlehahn, A. Kaganskiy, A. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, S.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора Электронный ресурс
Аннотация	Представлены результаты численного моделирования и исследования гибридного микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и селективно позиционированной над одиночной (111) In(Ga)As-квантовой точкой микролинзы. Излучатели на основе гибридного микрорезонатора демонстрируют эффективную накачку одиночной квантовой точки и высокую эффективность вывода излучения. Дизайн микрорезонатора может быть использован для реализации излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек.
Ключевые слова	сверхминиатюрные излучатели
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1451-1455
Имя макрообъекта	Деребезов_сверхминиатюрные