Поиск

Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой

Авторы: Акимов, А. Н. Климов, А. Э. Пащин, Н. С. Ярошевич, А. С. Савченко, М. Л. Эпов, В. С. Федосенко, Е. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/686420174
Дата корректировки 16:22:43 1 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2017.11.45114.29
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Акимов, А. Н.
Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
Электронный ресурс
Long-wavelegth limit of MBE-grown PbSnTe : In films sensitivity: relation to structure and composition
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 10 назв.
Аннотация Исследованы пленки PbSnTe : In с длинноволновой границей чувствительности свыше 20мкм и низкой проводимостью без освещения. Проведено сравнение спектральных зависимостей фотопроводимости, полученных при различных температурах с использованием фурье-спектрометра, с составом пленок, определенным методом рентгеновского микроанализа. Обнаружена немонотонная зависимость длинноволнового края фоточувствительности от температуры, которая объясняется комбинацией температурной зависимости ширины запрещенной зоны PbSnTe и эффекта Бурштейна-Мосса, дающего наибольший вклад в измерения при низких температурах из-за большого времени жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что различия в значениях ширины запрещенной зоны, определяемых из измеренного состава и температурных зависимостей длинноволнового края чувствительности, могут быть связаны с неоднородностьюсо става пленок, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Ключевые слова твердые растворы
теллурид свинца и олова
индий
молекулярно-лучевая эпитаксия
фотопроводимость пленок
Климов, А. Э.
Пащин, Н. С.
Ярошевич, А. С.
Савченко, М. Л.
Эпов, В. С.
Федосенко, Е. В.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 51, вып. 11. - С. 1574-1578
Имя макрообъекта Акимов_связь
Тип документа b