| Индекс УДК | 535.37 |
|
Фотодинамика переноса возбуждения носителями заряда в гибридной наносистеме InP/InAsP/InP А. С. Рубан, В. В. Данилов |
|
| Аннотация | Приведены результаты обработки кинетики затухания люминесценции гибридной полупроводниковой наноструктуры InP/InAsP/InP с нанесенными коллоидными слоями квантовых точек (QD) CdSe/ZnS при возбуждении на длинах волн 532 и 633 nm и температурах 80 и 300 K. Такая наноструктура характеризуется значительным увеличением длительности и интенсивности люминесценции нановставки InAsP. Механизм увеличения длительности люминесценции предположительно связан с взаимодействием коллоида QD CdSe/ZnS-ТОРО с поверхностью InP, что ведет к образованию в запрещенной зоне новых гибридных состояний, энергетически близких к излучающему состоянию и способных захватывать электроны, что в свою очередь компенсируется возрастающей ролью процесса обратного переноса электрона, приводящего к росту длительности излучательной рекомбинации. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 129, вып. 7. - С. 948-953 |
