| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686161840 |
| Дата корректировки | 16:36:26 28 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45008.8572 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Гуткин, А. А. | |
|
Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной d-оболочкой Электронный ресурс обзор |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 56 назв. |
| Аннотация | Приводится феноменологическая модель двойных акцепторов, создаваемых атомами Cu, Ag и Au в GaAs. Описаны экспериментально наблюдавшиеся явления, связанные с особенностями пространственного и электронного строения этих центров (подавление эффекта Яна-Теллера одноосным давлением, размягчение кристалла, рекомбинационно-стимулированная переориентация ян-теллеровских дисторсий центра, уменьшение стационарной степени выстраивания дисторсий центра при одноосном давлении с увеличением скорости рекомбинации через центр неравновесных электронно-дырочных пар, релаксационное поглощение ультразвука и др.). |
| Ключевые слова | эффект Яна-Теллера |
|
анизотропные ян-теллеровские акцепторы ян-теллеровское расщепление полупроводниковые кристаллы фотопроводимость анизотропные центры арсенид галлия |
|
| Аверкиев, Н. С. | |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1299-1324 |
|
| Имя макрообъекта | Гуткин_анизотропные |
| Тип документа | b |
