| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686161187 |
| Дата корректировки | 16:26:11 28 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45009.8605 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Герт, А. В. | |
|
Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов Текст обзор |
|
| Tight binding simulation of silicon and germanium nanocrystals | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 86 назв. |
| Аннотация | Обзор посвящен моделированию нанокристаллов Si и Ge методом сильной связи. Сначала приведeн краткий обзор методов моделирования и результатов, полученных для кремниевых и германиевых нанокристаллов. Затем подробно описан метод моделирования сильной связью в варианте с учeтом орбиталей s, p, d, s и представлены результаты, полученные на его основе для нанокристаллов кремния и германия. |
| Ключевые слова | кремниевые нанокристаллы |
|
германиевые нанокристаллы нанокристаллы кремния нанокристаллы германия кремний германий бесфононные оптические переходы матрица SiO[2] квантовые точки |
|
|
Нестоклон, М. О. Прокофьев, А. А. Яссиевич, И. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1325-1340 |
|
| Имя макрообъекта | Герт_моделирование |
| Тип документа | b |
