| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686156259 |
| Дата корректировки | 15:06:04 28 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.10.45015.8507 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Бондаренко, В. Б. | |
|
Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса-Ферми Электронный ресурс |
|
| A criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas-Fermi approximation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе-Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе. |
| Ключевые слова | легированные полупроводники |
|
область пространственного заряда двумерные электронные системы квантовые ямы гетероструктуры теория Томаса-Ферми |
|
| Филимонов, А. В. | |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 10. - С. 1372-1375 |
|
| Имя макрообъекта | Бондаренко_критерий |
| Тип документа | b |
