| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686153602 |
| Дата корректировки | 15:07:53 28 сентября 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2018.12.46716.106 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Аверкиев, Н. С. | |
|
Акцепторный центр Mn[Ga] в GaAs (Обзор) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 74 назв. |
| Аннотация | Описана модель акцептора Mn[Ga] в GaAs, в которой Г[8] исходное основное состояние связанной дырки изменяется из-за антиферромагнитного обменного взаимодействия с пятью 3d-электронами остова Mn. Рассмотрены энергетический спектр акцептора и волновые функции его состояний, а также их изменение под влиянием деформаций, электрических и магнитных полей. Приведены выражения для описания различных свойств изолированных акцепторов Mn[Ga] в GaAs, и проанализированы данные ряда экспериментов (изменение спектров и поляризации люминесценции и поглощения Mn{0}[Ga] при одноосных давлениях и в магнитном поле, спектры ЭПР, температурная зависимость магнитной восприимчивости, циркулярная поляризация фотолюминесценции при возбуждении поляризованным светом в магнитном поле и др.). Продемонстрировано, что в некоторых случаях необходимо учитывать существование в кристалле случайных электрических и деформационных полей, расщепляющих состояния акцептора. Результаты этого анализа показывают, что указанная модель хорошо согласуется c большинством экспериментальных результатов. Величина константы обменного взаимодействия лежит в диапазоне 3-5meV. |
| Ключевые слова | кристаллы |
|
арсенид галлия акцепторы акцепторные центры |
|
| Другие авторы | Гуткин, А. А. |
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 60, вып. 12. - С. 2275-2305 |
| Имя макрообъекта | Аверкиев_акцепторный |
| Тип документа | b |
